美芯晟 IPO：自研高壓集成工藝平臺，走差異化發展道路

工藝平臺是模擬芯片設計與制作的基礎。美芯晟科技（北京）股份有限公司成立于 2008 年，專注于高性能模擬及數模混合芯片研發和銷售，在 BCD 高壓集成工藝開發方面，公司建立了自有工藝研發團隊，具有自主研發工藝及開發特殊器件的能力，不再單純依賴晶圓代工廠提供的標準工藝。

公司自主研發的 700V-BCD 高壓集成工藝和 100V-BCD 器件工藝能夠促進芯片生產成本的優化以及供應鏈整合，不再單純依賴晶圓代工廠提供的標準工藝，可以開發出具有特色的集成電路產品，進一步節省晶圓加工的層數與成本，大幅提升公司產品的市場競爭力。

1）700V-BCD 高壓集成工藝

700V-BCD 高壓集成工藝是 LED 驅動及 AC-DC 控制器（含高壓啟動）產品線的主流工藝平臺，晶圓代工廠提供的標準工藝一般需要 13 層以上光罩。公司自研的第二代 700V-BCD 高壓集成工藝可將光罩層數降低到 12 層，同時對超高壓器件進行版圖與工藝的優化，使得抗浪涌能力提高 30% 以上。該工藝能夠節省外圍抗浪涌器件數量，節約生產成本，在同類工藝中優勢明顯。目前，公司的 LED 照明驅動芯片及有線快充芯片（在研）產品線已采用該工藝進行設計、生產。

在自研第二代的基礎上，公司不斷迭代升級，進一步研發第三代 700V-BCD 高壓集成工藝。研發完成后，可將光罩層數進一步減少到 10 層，同時優化集成的 5V 低壓器件，總體成本較第二代工藝降低 30% 以上。

2）100V-BCD 器件工藝

60V-BCD 器件工藝是 LED 驅動控制器（不含高壓啟動）、AC-DC 控制器（不含高壓啟動）及 DC-DC 等產品的主流工藝平臺。隨著車用芯片、智能家居應用芯片及 USB-PD 與 QC3.0 以上的快充應用的發展，60V 耐壓的器件工藝平臺已不能滿足芯片開發的要求，需要擴展 80V~100V 器件，在通用的 60V-BCD 器件平臺上額外增加 2~5 層光罩。目前，具有 100V-BCD 器件工藝平臺的晶圓代工廠數量較少，產能受到限制。

公司以現有通用的 60V-BCD 器件工藝平臺為基礎，在不增加光罩層數的前提下自研 100V-BCD 器件工藝，開發出 80V、100V 器件。目前，該工藝已運用于 LED 照明驅動芯片及有線快充芯片（在研）的設計、生產。

公司將上述核心技術充分應用于產品的設計、研發，推出了一系列具有市場競爭力的核心產品，形成了良好的口碑，奠定了公司的市場地位。未來，公司將通過持續的研發投入和技術積累，與晶圓代工廠形成戰略合作關系，在 0.18um-BCD 工藝上自研工藝及開發特定器件，形成獨特的技術優勢，為后續信號鏈傳感器芯片的設計研發、靈敏度優化、抗噪聲能力增強等方面打下良好的基礎。